Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
stačiasis lauko tranzistorius — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical field effect transistor; vertical channel field effect transistor vok. vertikaler Feldeffekttransistor, m rus. вертикальный полевой транзистор, m; полевой транзистор с вертикальной… … Radioelektronikos terminų žodynas
transistor à effet de champ vertical — stačiasis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical field effect transistor; vertical channel field effect transistor vok. vertikaler Feldeffekttransistor, m rus. вертикальный полевой транзистор, m;… … Radioelektronikos terminų žodynas
vertical field-effect transistor — stačiasis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical field effect transistor; vertical channel field effect transistor vok. vertikaler Feldeffekttransistor, m rus. вертикальный полевой транзистор, m;… … Radioelektronikos terminų žodynas
vertical-channel field-effect transistor — stačiasis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical field effect transistor; vertical channel field effect transistor vok. vertikaler Feldeffekttransistor, m rus. вертикальный полевой транзистор, m;… … Radioelektronikos terminų žodynas
вертикальный полевой транзистор — stačiasis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical field effect transistor; vertical channel field effect transistor vok. vertikaler Feldeffekttransistor, m rus. вертикальный полевой транзистор, m;… … Radioelektronikos terminų žodynas
полевой транзистор с вертикальной структурой — stačiasis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical field effect transistor; vertical channel field effect transistor vok. vertikaler Feldeffekttransistor, m rus. вертикальный полевой транзистор, m;… … Radioelektronikos terminų žodynas
Bipolartransistor/Ersatzschaltungen — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Ebers-Moll Modell — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Großsignal-Ersatzschaltbild — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Gummel-Poon-Modell — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
